這是一塊導電矽酮泡沫,可以使用 SMT 製程附著到 PCB 上。
回流焊接後具有良好的導電性和優異的彈性,可用作EMI屏蔽地或作為機械天線彈片的替代品。
同時,當整機受到外界衝擊力時,產品具有緩衝功能,避免衝擊力對其他零件造成損壞。
我們自主研發了高導電PI薄膜,屬國內首創。 總厚度可做到0.018mm,表面電阻可做到0.03Ω以內(實測在0.01Ω左右),並已延長相關專利3項。
NO | 專利名稱 |
1 | 基於聚醯亞胺薄膜的電磁屏蔽材料 |
2 | 耐高溫雙面導電電磁屏蔽材料 |
3 | 耐高溫高彈導電電磁屏蔽材料 |
SMT 墊片規格
項目 | 單位 | 屬性 | 方法 |
顏色 | --- | 銀 | 視覺的 |
尺寸 | 毫米 | 可定製 | --- |
EMI SE | 分貝 | >75 | ASTM D4935-99 |
阻力 | Ω/平方 | ≤0.03 | ASTM F390 |
鹽霧 | Ω/平方 | <0.06 | ASTM B117-03 |
溫度。 & 胡米。 | Ω/平方 | <0.05 | GB/T 2423.3-2006 |
工作溫度 | ℃ | -40~280 | --- |
硬度 | 硬度計 | <50 | ASTM D 2240 |
壓縮 | % | 40 | ASTM D3574 |
壓縮形變 | % | <8 | --- |
焊接強度 | N | 14-16 | GB/T 13936-2014 |
工作頻率 | --- | 10MHz~10GHz | --- |
有害物質限制指令 & 鹵素 | --- | Pb、Cd、Hg、Cr+6、PBB、PBDE、Br、CI | IEC 62321 |
阻燃性 | --- | 94V0 | UL94-2013 |
鍍錫SMT墊片規格
項目 | 方法 | 屬性 | |
材料 | - | 矽橡膠 & 導電PI(鍍Au-Sn/Cu) | |
顏色 | 視覺的 | 黃金白銀 | |
尺寸 | 數顯示卡尺 | 可定製 | |
耐熱性 | GB | 最高400℃ | |
工作溫度 | GB | -40 ~ +280℃ | |
耐腐蝕性能 | 材料 | HIOKI 3540 mΩ HITEST ER | 最大0.1Ω |
溫度。 & 胡米。 (85℃ / 85%RH) | 最大0.1Ω | ||
鹽霧 | 最大0.1Ω | ||
熱衝擊 | 最大0.1Ω | ||
焊接強度 | 推拉力測試 | 分鐘。 1500克力/厘米 | |
壓縮形變 | 70℃加壓40% 22h | 最低95% | |
彈性 | 25℃ 40%RH下按20% | 最大1.0kgf | |
阻燃性 | UL 94 | UL 94-V0 等效標準 | |
有害物質限制指令 & 鹵素 | Pb、Cd、Hg、Cr+6、PBB、PBDE、Br、CI | N.D. |
鍍金SMT墊片規格
項目 | 方法 | 結果 |
表面電阻 | HIOKI 3540 mΩ HITEST ER | 通過 |
耐熱性 | 85℃ & 96小時 | 通過 |
耐寒性 | -40℃ & 96小時 | 通過 |
溫度。 & 胡米 | 85℃ & 85%,96小時 | 通過 |
熱衝擊 | 70℃ & 60分鐘/-40℃ & 60分鐘(30個循環) | 通過 |
鹽霧 | 噴5% NaCl,1.0kgf/cm噴壓力,35℃48小時,靜置16小時。 | 通過 |
壓縮形變 | 加壓40%(70℃ 22小時) | 通過 |
SMT墊片可靠度測試
產品 | SMT墊片 | 金屬彈簧墊片 | 導電布 墊片 |
材料 | 矽橡膠 | 金屬 | 樹脂 |
手術 | SMT | SMT | 手動操作 |
粘接 | 焊接 | 焊接 | 粘合劑 |
傳導 | ⭐⭐⭐ | ⭐⭐ | ⭐ |
性能 | ⭐⭐⭐ | ⭐⭐ | ⭐ |
接觸面積 | 寬 | 狹窄的 | 狹窄的 |
尺寸 | 可定製 | 限制 | 可定製 |
可靠性 | 更好的 | 容易折斷 | 容易脫落 |
安裝時間 | 少 | 少 | 更多的 |
SMT墊片、金屬彈簧墊片、導電布墊片優點比較
回流焊溫度曲線設定:
SMT Gasket回流溫度曲線設定
1. 預熱區。 建議採用150℃,升溫速率為1~1.5℃/s,時間為100~120s。
2. 激活區。 對於不同的助焊劑,活化溫度不同。 加熱速率建議為0.3℃/s,最終加熱溫度約180℃。 建議時間為90~120s。
3. 快速加熱區。 升溫速率建議為2℃/s左右,時間建議為15~20s。
4. 回流區。 峰值溫度和總回流區時間的選擇建議參考焊膏製造商提供的數據。 不同類型的焊錫對回流溫度有不同的要求。 峰值溫度一般為240~250℃。 整個回流區的時間建議為40~80s。 峰值溫度停留時間一般小於10s。
5. 冷卻區。 建議溫度變化速率與快速加熱區一致,建議設定為1~3℃/s。